发明名称 一种可靠补偿MOS管阈值电压变化的电路及方法
摘要 本发明公开一种可靠补偿MOS管阈值电压变化的电路及方法,通过在现有补偿电路的基础上增加反馈电压生成电路U1、基准参考电压生成电路U2、第三比较器U3、第四比较器U4、逻辑控制电路U5和钳位电路U6;在衬底电压Vneg小于第三参考电压Vref3时将负压电荷泵关闭,以避免出现MOS管栅极和衬底电压差过大而致损坏MOS管寿命的问题;如果衬底电压Vneg过高大于第四参考电压Vref4时,钳位电路工作将衬底电压Vneg强制钳位到零电平,以避免出现PN结导通而漏电的问题。本发明有效的解决现有电路在高温或较快工艺条件下存在损坏MOS管寿命的问题和在低温或较慢工艺条件下存在PN结漏电的问题。
申请公布号 CN104950967A 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201510346788.6 申请日期 2015.06.19
申请人 西安华芯半导体有限公司 发明人 梁星
分类号 G05F1/46(2006.01)I 主分类号 G05F1/46(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 徐文权
主权项 一种可靠补偿MOS管阈值电压变化的电路,其特征在于,包括MOS管MN1、参考电压生成电路、第一比较器、第二比较器、负压电压泵、上拉电路、反馈电压生成电路U1、基准参考电压生成电路U2、第三比较器U3、第四比较器U4、逻辑控制电路U5和钳位电路U6;参考电压生成电路,用于产生第一参考电压Vref1和第二参考电压Vref2,且Vref2>Vref1;第一比较器,用于将MOS管MN1的产生的栅端电压Vg与第一参考电压Vref1比较;第二比较器,用于将MOS管MN1的产生的栅端电压Vg与第二参考电压Vref2比较;反馈电压生成电路U1,用于产生衬底电压的反馈信号vpw_fbk;基准参考电压生成电路U2:用于产生第四参考电压Vref4;第三比较器U3:用于将衬底电压的反馈信号vpw_fbk与第三参考电压Vref3进行比较;第四比较器U4:用于将衬底电压vneg与第四参考电压Vref4进行比较;逻辑控制电路U5:用于将第一比较器、第二比较器、第三比较器和第四比较器的输出结果进行处理,输出电荷泵使能信号、上拉电路使能信号和钳位电路使能信号;负压电荷泵,用于降低衬底电压Vneg;上拉电路,用于升高衬底电压Vneg;钳位电路U6:用于将衬底电压vneg强制钳位到零电平。
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