用于优良的温度循环、跌落测试和高电流应用的增强的WLP

摘要

一种用于优良的温度循环、跌落测试和高电流应用的增强的WLP装置，在铜柱式电路连接的顶部上设置有凸缘形UBM或嵌入的部分焊料球UBM。

主权项

一种晶圆级封装(WLP)块结构，包括：从制成的晶圆级封装硅表面垂直地延伸第一距离的铜支柱，所述铜支柱包括支柱侧面和远离制成的晶圆级封装硅表面的远端部，所述远端部包括铜表面；在所述支柱侧面周围并且基本上覆盖所述制成的晶圆级封装硅表面的第一密封剂，所述铜表面在第一密封剂表面下方凹入一凹入距离，使得在所述铜表面上方存在凹入区域；冶金结合到所述铜表面的球下金属(UBM)，所述球下金属包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述凹入区域内，所述第二部分在所述凹入区域上方并且与在所述凹入区域周围的所述密封剂表面重叠；以及在所述第一密封剂上的第二密封剂，所述第二密封剂在所述球下金属的第二部分周围，使得所述第二部分嵌在所述第二密封剂中，所述第二密封剂的顶表面基本上与所述第二部分的顶侧共面。