| 发明名称 | 一种硅深孔工艺的监测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅深孔工艺的监测方法，包括：提供硅深孔填充后的质量目标值以及其容差范围；在硅深孔填充后，获得量产晶圆的质量；判断量产晶圆质量是否在质量目标值的容差范围内。通过测量硅深孔填充后的质量，来间接监测硅深孔填充工艺的是否达到要求，该方法直观、快速并对晶圆没有损伤，适用于量产时对硅深孔填充制程的有效监测。 | ||
| 申请公布号 | CN104944366A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410116990.5 | 申请日期 | 2014.03.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨涛;徐强;洪培真;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | B81C99/00(2010.01)I | 主分类号 | B81C99/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;吉海莲 |
| 主权项 | 一种硅深孔工艺的监测方法，其特征在于，包括：提供硅深孔填充后的质量目标值以及其容差范围；在硅深孔填充后，获得量产晶圆的质量；判断量产晶圆质量是否在质量目标值的容差范围内。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||