发明名称 |
一种光掩模制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种光掩模制备方法,所述光掩模制备方法至少包括曝光步骤,所述曝光步骤包括:提供表面依次沉积有遮光层和光刻胶层的透明基板,采用曝光设备对所述光刻胶层进行第一次曝光,在所述光刻胶层上形成阵列排列的方型或线型曝光区;在所述方型曝光区的四个拐角处或线型曝光区的两侧边缘进行第二次曝光;其中,所述第一次曝光的曝光量低于正常曝光量,所述第二次曝光的曝光量与第一次曝光的曝光量之和高于正常曝光量。本发明通过对边缘或拐角进行两次不同剂量的曝光,避免制备的方型光掩模图案拐角圆化,并且使线型曝光区的边缘具有高的保真度。 |
申请公布号 |
CN104950567A |
申请公布日期 |
2015.09.30 |
申请号 |
CN201410113716.2 |
申请日期 |
2014.03.25 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
田明静 |
分类号 |
G03F1/00(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2012.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种光掩模制备方法,其特征在于,所述光掩模制备方法至少包括曝光步骤,所述曝光步骤包括:提供表面依次沉积有遮光层和光刻胶层的透明基板,采用曝光设备对所述光刻胶层进行第一次曝光,在所述光刻胶层上形成阵列排列的方型或线型曝光区;在所述方型曝光区的四个拐角处或线型曝光区的两侧边缘进行第二次曝光;其中,所述第一次曝光的曝光量低于正常曝光量,所述第二次曝光的曝光量与第一次曝光的曝光量之和高于正常曝光量。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |