| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域，所述第一区域上形成有若干凸起的第一栅极结构，相邻第一栅极结构之间具有第一凹槽；对第一凹槽侧壁表面进行疏水处理，使第一凹槽具有疏水性侧壁；采用流动性化学气相沉积工艺在所述第一凹槽内形成第一介质层，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应物为亲水性物质，在所述疏水性侧壁的作用下，使所述第一介质层内具有空气隙。所述方法可以降低第一介质层的介电系数，降低相邻第一栅极结构之间的寄生电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104952716A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410113838.1 | 申请日期 | 2014.03.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域，所述第一区域上形成有若干凸起的第一栅极结构，相邻第一栅极结构之间具有第一凹槽； 对第一凹槽侧壁表面进行疏水处理，使第一凹槽具有疏水性侧壁； 采用流动性化学气相沉积工艺在所述第一凹槽内形成第一介质层，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应物为亲水性物质，所述第一介质层内具有空气隙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||