| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成氧吸除金属层，并进行热退火；以刻蚀停止层为停止层，去除氧吸除金属层；在刻蚀停止层上形成金属栅极。在本发明中，形成氧吸除金属层并热退火以减小界面层的厚度之后，将该氧吸除金属层去除，以减小整个栅堆叠的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN104952713A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410111507.4 | 申请日期 | 2014.03.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 许静;闫江;唐波;唐兆云;王红丽 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;吉海莲 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成氧吸除金属层，并进行热退火；以刻蚀停止层为停止层，去除氧吸除金属层；在刻蚀停止层上形成金属栅极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||