一种半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在第一侧墙暴露的所述有源区上形成第一接触层；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二接触层扩散系数相同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度；所述第一接触层与第二接触层扩散系数不同时，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数。相应地，本发明还提供一种半导体结构。利于减少接触层中的相应成分向沟道区扩散，利于减少短沟道效应及提高半导体结构的可靠性。

主权项

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上形成有源区，在所述有源区上顺序形成栅极堆叠、以所述栅极堆叠为掩膜形成源/漏延伸区、环绕所述栅极堆叠的第一侧墙、以及以所述栅极堆叠和所述第一侧墙为掩膜形成源/漏区之后，暴露部分所述有源区；去除至少部分所述第一侧墙，在暴露的所述有源区中靠近所述栅极堆叠的区域上形成金属侧墙；执行退火操作，以使所述金属侧墙与承载所述金属侧墙的所述有源区表面反应而形成第一接触层；去除未反应的所述金属侧墙；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙后，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二接触层扩散系数相同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度；所述第一接触层与第二接触层扩散系数不同时，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数；其中所述金属侧墙的材料包括Co，所述第二接触层为NiSi或者Ni(Pt)Si_2‑y。