高度集成的可编程非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种高度集成的可编程非易失性存储器及其制造方法，尤其涉及一种包含反熔丝和二极管或可变电阻和二极管的存储装置及其运行方法以及利用垂直空间能够提高集成度的多个存储单元的制造方法。本发明所涉及的高度集成的可编程非易失性存储器，其特征在于由具有互不相同的台阶的第一台阶单元和第二台阶单元形成，所述第一台阶单元以台阶较高的水平面为基准形成而所述第二台阶单元以台阶较低的水平面为基准形成。

主权项

一种高度集成的可编程非易失性存储器，其特征在于由在半导体衬底上形成为具有互不相同的台阶的第一台阶单元和第二台阶单元构成，所述第一台阶单元和第二台阶单元分别包括由导电层‑可变电阻‑金属层‑半导体层所层叠的结构、由导电层‑可变电阻‑半导体层所层叠的结构、由导电层‑绝缘膜‑金属层‑半导体层所层叠的结构、由导电层‑绝缘膜‑半导体层所层叠的结构中的某一个而构成，所述第一台阶单元以台阶高的水平面为基准而形成，所述第二台阶单元以台阶低的水平面为基准而形成，在所述第一台阶单元与第二台阶单元之间的侧壁形成侧壁分隔件，以防止由所述第一台阶单元和第二台阶单元中置于第一电极和半导体衬底之间的可变电阻或绝缘膜引起的干扰，或抑制有可能在包含所述第一台阶单元和第二台阶单元之间的区域内寄生的晶体管的形成。