| 发明名称 | 纳米线器件和具有纳米线的结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型描述了一种纳米线器件和具有纳米线的结构，其中纳米线包括：基底层；多根纳米线，所述多根纳米线位于所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面地突出；其中每根纳米线包括芯、壳、以及位于所述芯和所述壳之间的有源层；封装材料，所述封装材料侧向地围绕所述多根纳米线，使得所述多根纳米线嵌入在所述封装材料中；顶部电极层，所述顶部电极层位于所述基底层的与所述第一表面相对的第二表面上并且与每根纳米线的所述芯电接触；和底部电极层，所述底部电极层与每根纳米线的所述壳电接触。 | ||
| 申请公布号 | CN204680685U | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201520146025.2 | 申请日期 | 2015.03.13 |
| 申请人 | 勒克斯维科技公司 | 发明人 | 胡馨华;A·比布尔 |
| 分类号 | H01L33/08(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L33/08(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种纳米线器件，其特征在于，包括：基底层；多根纳米线，所述多根纳米线位于所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面地突出；其中每根纳米线包括芯、壳、以及位于所述芯和所述壳之间的有源层；封装材料，所述封装材料侧向地围绕所述多根纳米线，使得所述多根纳米线嵌入在所述封装材料中；顶部电极层，所述顶部电极层位于所述基底层的与所述第一表面相对的第二表面上并且与每根纳米线的所述芯电接触；和底部电极层，所述底部电极层与每根纳米线的所述壳电接触。 | ||
| 地址 | 加利福尼亚州 | ||