| 发明名称 | 功率半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及功率半导体装置，其具有基底、布置在基底上并与基底连接的功率半导体结构元件、导电负载联接元件以及侧向环绕功率半导体结构元件的一体式构造的第一壳体部件，基体具有侧向环绕功率半导体结构元件的第一主外表面，其至少部分被侧向环绕功率半导体结构元件的弹性的不导电的一体式构造的结构化的第一密封元件面状地覆盖，第一密封元件区段布置在第一壳体部件与基体第一主外表面之间，第一壳体部件和基体第一主外表面压向第一密封元件，并且第一密封元件使第一壳体部件相对基体第一主外表面密封。本发明提供了一种构造紧凑的功率半导体装置，其负载联接元件相对功率半导体装置基体可靠地电绝缘并且其壳体相对基体可靠地密封。 | ||
| 申请公布号 | CN104952811A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201510132267.0 | 申请日期 | 2015.03.25 |
| 申请人 | 赛米控电子股份有限公司 | 发明人 | 英戈·博根 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 梁晓广;关兆辉 |
| 主权项 | 一种功率半导体装置，所述功率半导体装置具有基底(20)和布置在所述基底(20)上并且与所述基底(20)连接的功率半导体结构元件(23)，其中，所述基底(20)直接或间接地与金属基体(3)连接，其中，为了所述功率半导体装置(1)的电接触，所述功率半导体装置(1)具有导电的负载联接元件(7)，其中，所述功率半导体装置(1)具有侧向环绕所述功率半导体结构元件(23)的、一体式构造的第一壳体部件(5)，其中，所述基体(3)具有侧向环绕所述功率半导体结构元件(23)的第一主外表面(4)，所述第一主外表面至少部分被侧向环绕所述功率半导体结构元件(23)的、弹性的、不导电的、一体式构造的、结构化的第一密封元件(11)面状地覆盖，其中，所述第一密封元件(11)的区段(53)布置在所述第一壳体部件(5)与所述基体(3)的第一主外表面(4)之间，其中，所述第一壳体部件(5)和所述基体(3)的第一主外表面(4)压向所述第一密封元件(11)，并且所述第一密封元件(11)使所述第一壳体部件(5)相对所述基体(3)的第一主外表面(4)密封。 | ||
| 地址 | 德国纽伦堡 | ||