发明名称 基于石墨烯的透明导电薄膜的图案化方法
摘要 本发明公开了一种基于石墨烯的透明导电薄膜的图案化方法,包括:提供透明导电薄膜,包括基底和主要由石墨烯构成的透明导电层;以具有镂空图形结构的掩模掩盖透明导电层;其后,将透明导电薄膜置入蚀刻室,再通入工作气体并生成可与石墨烯反应生成气态产物但不损伤所述基底和掩模的等离子体,而后以所述等离子体将从所述掩模的镂空图形结构中暴露出的透明导电层局部区域完全除去,而使透明导电层被掩模遮盖的其余区域被保留。本发明工艺简单,成本低廉,效率高,能一次性批量化完成对基于石墨烯的透明导电薄膜的图形化处理,且良品率高,所获透明导电薄膜上的光、电学性能优良稳定,适于在各类光、电学设备中广泛应用。
申请公布号 CN104945014A 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201410114926.3 申请日期 2014.03.26
申请人 苏州汉纳材料科技有限公司 发明人 陈新江
分类号 C04B41/53(2006.01)I 主分类号 C04B41/53(2006.01)I
代理机构 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人 王锋
主权项 一种基于石墨烯的透明导电薄膜的图案化方法,其特征在于包括:提供透明导电薄膜,包含选定基底和覆设于选定基底表面的透明导电层,所述透明导电层主要由石墨烯构成;以具有设定镂空图形结构的掩模掩盖所述透明导电层;将所述透明导电薄膜置入蚀刻室内,再通入工作气体并生成可与石墨烯反应生成气态产物但不损伤所述基底和掩模的等离子体,而后以所述等离子体将从所述掩模的镂空图形结构中暴露出的透明导电层局部区域完全除去,而使所述透明导电层被掩模遮盖的其余区域被保留,完成对所述透明导电薄膜的图案化处理。
地址 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼507、508室