| 发明名称 | 一种在SiC材料上生长SiO<sub>2</sub>钝化层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO<sub>2</sub>钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO<sub>2</sub>钝化层和对SiO<sub>2</sub>钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO<sub>2</sub>钝化层在SiC材料上的生长，SiO<sub>2</sub>钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO<sub>2</sub>钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO<sub>2</sub>钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO<sub>2</sub>钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO<sub>2</sub>钝化层的生长。 | ||
| 申请公布号 | CN102810465B | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201110147251.9 | 申请日期 | 2011.06.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种在SiC材料上生长SiO<sub>2</sub>钝化层的方法，包括：采用PECVD在SiC材料上生长SiO<sub>2</sub>钝化层；和，对所述SiO<sub>2</sub>钝化层致密；对所述SiO<sub>2</sub>钝化层致密是对所述生长有SiO<sub>2</sub>钝化层的SiC材料进行退火；其特征在于，对所述生长有SiO<sub>2</sub>钝化层的SiC材料进行退火包括：步骤1：从常温升温至800℃，经历时间40min；步骤2：温度达到800℃后，维持10min；步骤3：从800℃升温至1000℃，升温速度10℃/min，经历时间20min；步骤4：温度达到1000℃后，维持30min；步骤5：从1000℃降温至800℃，降温速度10℃/min，经历时间20min；步骤6：从800℃自然降温至400℃以下。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||