| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成凸起的栅极；在所述栅极的侧壁表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成沟道层；在所述基底表面形成介质层；在所述栅极两侧的介质层内形成第一通孔，所述第一通孔与沟道层之间具有部分介质层；在所述第一通孔内形成背栅极。上述方法形成的半导体结构，具有较高的沟道长度的同时可以通过背栅极对沟道层施加电压，调整晶体管的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN104952730A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410113740.6 | 申请日期 | 2014.03.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成凸起的栅极；在所述栅极的侧壁表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成沟道层；在所述基底表面形成介质层；在所述栅极两侧的介质层内形成第一通孔，所述第一通孔与沟道层之间具有部分介质层；在所述第一通孔内形成背栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||