| 发明名称 | 一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域，尤其涉及一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件。该静电放电保护器件包括P型衬底、n个N型阱区以及栅控PIN结，其中，n为常数；n个N型阱区以及栅控PIN结形成于P型衬底上；n个N型阱区连接有输入端，栅控PIN结设置于n个N型阱区连接输入端的一侧；第二N+掺杂区形成于栅控PIN结与n个N型阱区之间，第一N+掺杂区形成于栅控PIN结的另一侧，第一P+掺杂区形成于第一N+掺杂区之上；n个N型阱区中P+掺杂区与N+掺杂区具有相同的相对位置关系。本发明提供的二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件在不增加漏电的基础上，能够有效调节触发电压以满足不同I/O的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN104952868A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201510037402.3 | 申请日期 | 2015.01.23 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 王源;张立忠;陆光易;曹健;张兴 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件，其特征在于，包括：P型衬底、n个N型阱区以及栅控PIN结，其中，n为常数；所述n个N型阱区以及所述栅控PIN结形成于所述P型衬底上；所述n个N型阱区连接有输入端，所述栅控PIN结设置于所述n个N型阱区连接所述输入端的一侧；第二N+掺杂区形成于所述栅控PIN结与所述n个N型阱区之间，第一N+掺杂区形成于所述栅控PIN结的另一侧，第一P+掺杂区形成于所述第一N+掺杂区之上；所述n个N型阱区中P+掺杂区与N+掺杂区具有相同的相对位置关系。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||