一种薄膜晶体管结构及其制备方法

摘要

本发明涉及薄膜晶体管结构，包括由下至上依次设置的基板、栅极、栅极绝缘层、半导体氧化物层、源漏极层、钝化层和透明导电层，对应于半导体氧化物层上方的源漏极层处，通过刻蚀形成刻蚀阻挡层。还涉及上述薄膜晶体管结构的制备方法，包括在基板上沉积并光刻栅极；在栅极上沉积栅极绝缘板；在栅极绝缘板上沉积并光刻半导体氧化物层；在半导体氧化物层上沉积并光刻源漏极层；在对应于半导体氧化物层上方的源漏极层处，刻蚀形成刻蚀阻挡层；在源漏极层和半导体氧化物层的上沉积钝化层；在钝化层上沉积透明导电层。本发明未单独沉积刻蚀阻挡层，但通过刻蚀源漏极层形成具有实际功能的刻蚀阻挡层，优化薄膜晶体管结构的同时，真正保护半导体氧化物层。

主权项

一种薄膜晶体管结构，包括由下至上依次设置的基板、栅极、栅极绝缘层、半导体氧化物层、源漏极层、钝化层和透明导电层，其特征在于：在对应于所述半导体氧化物层上方的所述源漏极层处，通过刻蚀形成刻蚀阻挡层，所述半导体氧化物层和所述刻蚀阻挡层经过加热活化后分别成为半导体层和绝缘层。