一种基于RRAM的非易失性SRAM存储单元

摘要

本实用新型提供一种数据能够自动回复，断电情况下仍可保持存储数据，存储器stand-by模式功耗低，操作方便的基于RRAM的非易失性SRAM存储单元，包括一个六晶体管SRAM单元6T-SRAM和两个1T1RRRAM单元；所述的六晶体管SRAM单元6T-SRAM包括两个N型存取晶体管和两个交叉耦合反相器中的四个逻辑晶体管；N型存取晶体管的两端分别连接同侧的数据线和位线；所述的RRAM单元分别包括一个阻变电阻R和一个选择晶体管T；阻变电阻R的阳极与选择晶体管T的源端连接，阻变电阻R具有高阻态和低阻态两个状态；RRAM单元的漏端与对侧的位线相连，阴极与同侧的数据线相连，栅端与电阻字线相连。

主权项

一种基于RRAM的非易失性SRAM存储单元，其特征在于，包括一个六晶体管SRAM单元6T‑SRAM和两个1T1RRRAM单元；所述的六晶体管SRAM单元6T‑SRAM包括两个N型存取晶体管和两个交叉耦合反相器中的四个逻辑晶体管；N型存取晶体管的两端分别连接同侧的数据线和位线；所述的RRAM单元分别包括一个阻变电阻R和一个选择晶体管T；阻变电阻R的阳极与选择晶体管T的源端连接，阻变电阻R具有高阻态和低阻态两个状态；RRAM单元的漏端与对侧的位线相连，阴极与同侧的数据线相连，栅端与电阻字线相连。