衬底处理装置、衬底的制造方法及半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置且对所述反应室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管；第二气体供给管，其以在所述反应室内延伸的方式设置，且具有向所述多个衬底喷出第二气体的第二供给口，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，并从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸，所述第一遮蔽壁的内壁的长度比所述第一遮蔽壁的内壁直到与所述第一遮蔽壁的外壁的延长线交叉的延长线的长度短，所述衬底处理装置还包括第三气体供给管，该第三气体供给管在从所述第一气体供给口喷出的所述第一气体的第一气体流和从所述第二气体供给口喷出的所述第二气体的第二气体流之间形成惰性气体的第三气体流，且该第三气体供给管设在所述反应室内。