发明名称 | 封装 | ||
摘要 | 本发明的实施例提供一种气密性高、并且可以无损于耐电力而将特性阻抗保持得较高的封装。根据实施例,封装具备:导体底板;配置在导体底板上的设有贯穿孔的金属壁;配置在贯穿孔中的馈通部。馈通部具备:配置在导体底板上的馈通下层部;配置在馈通下层部上的布线图形;在馈通下层部上的一部分以及布线图形上的一部分配置的馈通上层部;配置在布线图形上的端子。此外,馈通下层部的一部分比贯穿孔大,馈通下层部与金属壁的侧面密接,馈通上层部比贯穿孔大,馈通上层部与金属壁的侧面密接,在布线图形和贯穿孔的内壁之间设有间隙。 | ||
申请公布号 | CN103117254B | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
申请号 | CN201210130267.3 | 申请日期 | 2012.04.28 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 高木一考 |
分类号 | H01L23/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/10(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
主权项 | 一种封装,其特征在于,具备:导体底板;金属壁,配置在所述导体底板上,并设有贯穿孔;馈通下层部,配置在所述导体底板上;布线图形,配置在所述馈通下层部上;馈通上层部,配置在所述馈通下层部上的一部分以及所述布线图形上的一部分;以及端子,配置在所述布线图形上,所述馈通下层部的一部分的宽度比所述贯穿孔的宽度大,所述馈通下层部在所述金属壁的内侧与所述金属壁的侧面密接,所述馈通上层部的宽度比所述贯穿孔的宽度大,所述馈通上层部在所述金属壁的内侧与所述金属壁的侧面密接,另外,在所述布线图形和所述贯穿孔的内壁之间设有间隙。 | ||
地址 | 日本东京都 |