基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器及其制备方法

摘要

本发明涉及太赫兹波导耦合器的制备技术，具体是一种基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器及其制备方法。本发明解决了现有太赫兹波导耦合器的制备技术制备过程复杂、制备成本高、制备出的太赫兹波导耦合器精度低、表面粗糙度大、损耗大、功率不足的问题。基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器，包括第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片；其中，第一金属T形片、第二金属T形片、第三金属T形片、第四金属T形片、第五金属T形片自下而上依次层叠成一体；第二金属T形片的横向部分表面开设有上下贯通的直形波导腔。本发明适用于雷达成像、材料分析、环境监测、大容量通讯等领域。

主权项

一种基于牺牲层技术的太赫兹波导耦合器，其特征在于：包括第一金属T形片（1）、第二金属T形片（2）、第三金属T形片（3）、第四金属T形片（4）、第五金属T形片（5）；其中，第一金属T形片（1）、第二金属T形片（2）、第三金属T形片（3）、第四金属T形片（4）、第五金属T形片（5）自下而上依次层叠成一体；第二金属T形片（2）的横向部分表面开设有上下贯通的直形波导腔（6）；直形波导腔（6）的左端贯通第二金属T形片（2）的横向部分的左端面，直形波导腔（6）的右端贯通第二金属T形片（2）的横向部分的右端面；第三金属T形片（3）的横向部分表面左部开设有一排上下贯通的耦合孔（7）；第四金属T形片（4）的横向部分表面左部和纵向部分表面共同开设有上下贯通的L形波导腔（8）；L形波导腔（8）的左端封闭，L形波导腔（8）的前端贯通第四金属T形片（4）的纵向部分的前端面。