モノリシックマルチチャネル適合可能ＳＴＴ−ＭＲＡＭ

摘要

モノリシックマルチチャネル抵抗性メモリは、第１のチャネルに関連付けられ、第１のデバイス属性および／または第１の回路属性に応じて調整された、少なくとも１つの第１のバンクを含む。本メモリは、第２のチャネルに関連付けられ、第２のデバイス属性および／または第２の回路属性に応じて調整された、少なくとも１つの第２のバンクも含む。