高効率の裏面コンタクトソーラーセルの連続及び不連続ベース領域の構造及びその形成方法

摘要

ソーラーセルの多レベルメタライゼーションに関する作製方法及び構造が記載されている。１つの実施形態において、裏面コンタクトソーラーセルは、パターン形成エミッタ及び非入れ子のベース領域を形成するための受光前面及び裏面を有する基板を含む。櫛形ドープエミッタ及びベース領域は、結晶半導体基板の裏面上に形成される。少なくともドープ層及び非ドープキャッピング層の組み合わせを含むパターン形成電気絶縁層スタックは、パターン形成ドープエミッタ領域及びベース領域上に形成される。エミッタ領域に接触するエミッタメタライゼーション電極とベース領域に接触する非入れ子のベースメタライゼーション電極とを含むコンタクトメタライゼーションパターンが形成され、非入れ子のベースメタライゼーション電極は、ベース領域を越えてソーラーセルにおいて電気シャントを生じることなく前述のパターン形成絶縁体の少なくとも一部分と重なることができる。【選択図】 図２Ａ