| 摘要 |
第一導電型炭化ケイ素層１２と、第一導電型炭化ケイ素層１２上に、水平方向で複数設けられた第二導電型炭化ケイ素層１３と、第二導電型炭化ケイ素層１３内に形成された第一導電型のソース領域１７と、を備えている。第二導電型炭化ケイ素層１３及びソース領域１７上には、第一絶縁層２１が設けられ、第二導電型炭化ケイ素層１３上であってソース領域１７上には位置しない箇所には、第二絶縁層２２が設けられている。第一絶縁層２１内にゲート電極３１が設けられ、第二絶縁層２２内にはゲート電極３１が設けられていない。水平方向において、第一絶縁層２１の隣に第二絶縁層２２が配置されている。第二絶縁層２２の下方に位置する第二導電型炭化ケイ素層の間の第二距離Ｌ２は、第一絶縁層２１の下方に位置する第二導電型炭化ケイ素層の間の第一距離Ｌ１よりも長くなっている。 |
