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<p>Solarzellen mit dielektrischen Siliziumoxynitrid-Schichten und Verfahren zum Bilden von dielektrischen Siliziumoxynitrid-Schichten für die Herstellung von Solarzellen werden beschrieben. Zum Beispiel beinhaltet eine Emitterzone einer Solarzelle einen Teil eines Substrats mit einer rückseitigen Oberfläche entgegengesetzt zu einer Licht empfangenden Oberfläche. Eine dielektrische Siliziumoxynitrid-Schicht (SiOxNy, 0 < x, y) ist auf der rückseitigen Oberfläche des Teils des Substrats angeordnet. Eine Halbleiterschicht ist auf der dielektrischen Siliziumoxynitrid-Schicht angeordnet.</p> |
