UV-Strahlungsüberwachung in der Halbleiterverarbeitung unter Anwendung eines temperaturabhänigen Signals

摘要

Verfahren zum Überwachen einer UV-Strahlungsstärke während der Halbleiterbearbeitung in einer UV-Prozessanlage, wobei das Verfahren umfasst: Betreiben einer UV-Strahlungsquelle der UV-Prozessanlage mit einer vordefinierten Parametereinstellung; Gewinnen eines Überwachungssignals aus einer Gerätekomponente der UV-Prozessanlage, wobei das Überwachungssignal eine Prozesstemperatur in einer Prozesskammer der UV-Prozessanlage repräsentiert; und wobei das Überwachungssignal ein Temperatursignal einer prozesskammerinternen Komponente der UV-Anlage repräsentiert; Bestimmen eines UV-Bestrahlungsstärkestatus der Strahlungsquelle unter Anwendung der vordefinierten Parametereinstellung und des Überwachungssignals; und Angeben des UV-Bestrahlungsstärkestatus nach dem Bearbeiten einer vordefinierten Anzahl an Substraten in der Prozesskammer.