| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung unterdrückt den Einfluss einer mechanischen Spannung, die von einem kapazitätsisolierenden Film ausgeübt wird, ohne dabei elektrische Eigenschaften eines Kondensators zu verschlechtern, wobei der kapazitätsisolierende Film auf der Oberfläche eines Trägers gebildet ist, der untere Elektroden miteinander verbindet. In diesem Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren werden ein Stoppfilm, ein Opferfilm und ein Film aus Trägerkonfigurationsmaterial durch Laminieren der Filme in dieser Reihenfolge auf ein Halbleitersubstrat gebildet. Ein Zylinderloch, das den Stoppfilm, den Opferfilm und den Film aus Trägerkonfigurationsmaterial durchdringt, wird ausgebildet, und eine untere Elektrode, die die innere Oberfläche des Zylinderlochs bedeckt, wird ausgebildet. Das Trägerkonfigurationsmaterial wird so strukturiert, dass ein Träger gebildet wird, der zumindest mit einem Teil der Außenumfangsoberfläche der unteren Elektrode verbunden ist, wodurch ein Teil des Opferfilms freigelegt wird. Der Opferfilm wird durch Nassätzen entfernt, und eine Vertiefung wird in der Oberfläche des Trägers gebildet, wobei die Vertiefung tiefer ist als eine Vertiefung, die in der Oberfläche des Stoppfilms gebildet ist.</p> |
