Verfahren zum Entfernen von Leerstellenagglomeraten von einem kristallinen Siliziumkörper

摘要

Ein Verfahren zum Entfernen von Leerstellenagglomeraten von einem kristallinen Siliziumkörper (101) mit entgegengesetzten ersten und zweiten Oberflächen (1030, 1031) umfasst ein Vergrößern eines Oberflächengebietes von wenigstens einer Oberfläche aus den ersten und zweiten Oberflächen (1030, 1031). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Oxidieren des vergrößerten Oberflächengebietes (1050) bei einer Temperatur von wenigstens 1000°C und für eine Zeitdauer von wenigstens 20 Minuten.