| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Photoaktives Halbleiterbauelement, insbesondere photovoltaische Solarzelle, mit einem Halbleitersubstrat, einer mittelbar auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordneten, Kohlenstoff enthaltenden SiC-Schicht und einer mittelbar oder unmittelbar zwischen SiC-Schicht und Halbleitersubstrat angeordneten passivierenden Zwischenschicht und einer metallischen Kontaktierung, welche mittelbar oder unmittelbar auf einer der passivierenden Zwischenschicht abgewandten Seite der SiC-Schicht angeordnet und elektrisch leitend mit der SiC-Schicht verbunden ist, wobei die SiC-Schicht eine p-Typ oder n-Typ Dotierung aufweist, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass die SiC-Schicht teilweise eine teilweise amorphe Struktur und teilweise eine kristalline Struktur aufweist. |
