薄膜太陽電池用の層体

摘要

本発明は、薄膜太陽電池（１００）乃至ソーラーモジュール用の層体（１）に関する。本発明の層体（１）は、カルコゲナイド化合物半導体を含む吸収層（４）と、吸収層（４）上に設けられたハロゲンリッチなＺｎｘＩｎ１−ｘＳｙ［０．０１≦̸ｘ≦̸０．９かつ１≦̸ｙ≦̸２］を含む緩衝層（５）とを含み、緩衝層（５）は、吸収層（４）に接しかつハロゲンモル分率Ａ１を有する第１の層領域（５．１）と、第１の層領域（５．１）に接しかつハロゲンモル分率Ａ２を有する第２の層領域（５．２）とを含み、比Ａ１／Ａ２≧２であり、第１の層領域（５．１）の層厚さ（ｄ１）は緩衝層（５）の層厚さ（ｄ）の≦̸５０％である。