Ionenimplantation von Dotierungsmitteln zum Bilden von räumlich platzierten Diffusionsregionen von Solarzellen

摘要

Diffusionsregionen einer Solarzelle werden mit Verwendung einer Deckschicht aus Film gebildet, die mit Dotierungsmitteln eines ersten Leitfähigkeitstyps (231) dotiert ist. Dotierungsmittel eines zweiten Leitfähigkeitstyps werden in ausgewählte Regionen der Deckschicht aus Film implantiert, um Dotierungsmittel-Sourceregionen des zweiten Leitfähigkeitstyps (232) zu bilden. Diffusionsregionen der Solarzelle werden durch Diffundieren von Dotierungsmitteln des ersten Leitfähigkeitstyps und Dotierungsmittel des zweiten Leitfähigkeitstyps von der Deckschicht aus Film in ein darunterliegendes Siliziummaterial (233) gebildett. Die Deckschicht aus Film kann eine mit Bor dotierte P-Typ-Dotierungsmittel-Sourceschicht sein, wobei Phosphor in ausgewählte Regionen des P-Typ-Dotierungsmittel implantiert wird, um N-Typ-Dotierungsmittel-Sourceschichten in der P-Typ-Dotierungsmittel-Sourceschicht zu bilden.