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Ausführungsformen umfassen eine Vorrichtung, eine Anordnung und ein Verfahren, die mit einem Schaltkreis in Verbindung stehen. Insbesondere beziehen sich Ausführungsformen auf einen Drain-Schaltkreis für einen rauscharmen Verstärker (low noise amplifier; LNA), der einen ersten Feldeffekttransistor (FET) aufweist, wobei der Drain-Kontakt des ersten FETs mit einem Gate-Kontakt eines zweiten FETs gekoppelt ist. Der Drain-Kontakt des zweiten FETs kann auch über einen Widerstand mit dem Gate des zweiten FETs gekoppelt sein. Der Source-Kontakt des zweiten FETs kann mit einer Diode gekoppelt sein, die mit einem LNA gekoppelt sein kann. |
