| 发明名称 | 辐射线检测器的制造方法以及辐射线检测器 | ||
| 摘要 | 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。 | ||
| 申请公布号 | CN103443653B | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201280014189.9 | 申请日期 | 2012.03.19 |
| 申请人 | 株式会社岛津制作所 | 发明人 | 贝野正知;徳田敏;吉牟田利典;岸原弘之;吉松圣菜;佐藤敏幸;桑原章二 |
| 分类号 | G01T1/24(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I | 主分类号 | G01T1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种辐射线检测器的制造方法，其特征在于，其为制造具备半导体层和电压施加电极用的石墨基板的辐射线检测器的方法，其中，所述半导体层因辐射线的入射而将辐射线的信息转换成为电荷信息，且由碲化镉CdTe或碲化镉锌CdZnTe来形成；所述电压施加电极用的石墨基板对该半导体层施加偏置电压，且兼用作支承基板，将作为前述石墨基板的主构成元素的炭进行纯化，前述石墨基板的炭所含有的前述半导体层的施主/受主元素的杂质为0.1ppm以下。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||