硅膜的形成方法及其形成装置

摘要

本发明提供一种硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具有第1成膜工序、蚀刻工序、第2成膜工序。在第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成硅膜。在蚀刻工序中，对在第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部。在第2成膜工序中，以向在蚀刻工序中扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。由此，在表面形成有槽的被处理体的槽内形成硅膜。

主权项

一种硅膜的形成方法，其用于在表面形成有槽的被处理体的槽内形成硅膜，其特征在于，该硅膜的形成方法具有：晶种层形成工序，通过供给包括硅烷的晶种层形成气体，以使得上述被处理体的槽的表面形成厚度为1nm～2nm的晶种层；第1成膜工序，其以填埋上述被处理体的槽的方式在上述晶种层上形成硅膜；蚀刻工序，其对在上述第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部；第2成膜工序，其以向在上述蚀刻工序中扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。