发明名称 测量方法、设备和衬底
摘要 本发明公开了一种测量方法、光刻设备和衬底。图案利用光刻步骤形成在衬底上。图案包括在衬底上彼此相邻地定位的且具有各自的第一和第二周期的第一子图案和第二子图案。图案被观察以获得组合的信号,组合的信号包括具有第三周期的拍分量,第三周期处于比第一和第二周期的频率更低的频率。光刻过程的性能的测量通过参考拍分量的相位来确定。依赖于如何形成子图案,性能参数可以是例如临界尺寸或重叠。对于临界尺寸测量,子图案中的一个可以包括标记,每个标记具有由类似产品特征细分的部分。可以利用光刻设备中的已有的对准传感器来进行测量。测量的灵敏度和精度可以通过选择第一和第二周期来调整,因此通过选择第三周期来调整。
申请公布号 CN102566301B 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201110387956.8 申请日期 2011.11.29
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 大卫·德克斯;法兰西斯卡·戈德弗瑞德斯·卡斯珀·碧嫩;S·穆萨
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G03F1/44(2012.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 吴敬莲
主权项 一种测量光刻过程的性能参数的方法,所述方法包括:(a)使用至少一个光刻步骤在衬底上形成图案,所述图案包括具有各自的第一和第二周期的第一子图案和第二子图案,所述第一子图案和第二子图案在所述衬底上沿一轴线并行地排列且在横向于所述轴线的方向上彼此相邻地定位;(b)对相邻的第一和第二子图案进行观察以获得组合的信号,所述组合的信号包括具有第三周期的拍分量,所述第三周期处于比所述第一和第二周期的频率更低的频率;和(c)由所述组合的信号计算对所述光刻过程的性能的测量,所计算的测量至少部分通过所述拍分量的相位来确定。
地址 荷兰维德霍温
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