氧化物半导体薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了涉及薄膜晶体管领域的氧化物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）制备前驱体溶液，（2）制备反应溶液，在前驱体溶液中加入带有OH或者OR基团的催化剂，搅拌使其充分溶解得到反应溶液；（3）制备氧化物半导体薄膜。本发明还公开了采用该方法制备的氧化物半导体薄膜，包含该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管以及该薄膜晶体管的制备方法。本发明的氧化物半导体薄膜的制备方法通过在前驱体溶液中加入催化剂，改变了溶液法制备半导体薄膜的反应过程，解决了现有技术中采用溶液法制备的氧化物薄膜受前驱体成膜性等因素影响形成的薄膜晶体管的性能不理想、载流子迁移率低的问题。

主权项

一种氧化物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)制备前驱体溶液将含有目标氧化物金属离子的前驱体材料和稳定剂溶解于溶液中，充分搅拌使其充分溶解，得到前驱体溶液；(2)制备反应溶液在前驱体溶液中加入带有OH或者OR基团的催化剂，搅拌使其充分溶解得到反应溶液；(3)制备氧化物半导体薄膜将步骤(2)制备的反应溶液在涂布面上涂布成膜，经热处理程序得到氧化物半导体薄膜；所述热处理程序为：从100～200℃开始，以5～80℃/min的升温速率升温，温度每上升2.5～40℃，恒温处理5～300s时间，直至预定温度250～600℃，继续热处理至少10～50min，自然冷却至室温。