发明名称 |
单斜晶系结构二氧化钒粉体的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种单斜晶系结构二氧化钒粉体的制备方法,一方面,本发明的单斜晶系结构二氧化钒粉体是在醇和还原性酸双还原剂的诱导作用下制备的,可以使V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>还原成纯相VO<sub>2</sub>而没有其它杂质;第二方面,本发明方法原料均为常见化学试剂,工艺过程简单,合成路线短,反应温度低,反应条件易于控制,反应过程中绿色环保,无三废排放,无环境污染,成本低廉;第三方面,本发明可实现VO<sub>2</sub>粉体材料的有效掺杂,且掺杂源能均匀分散在VO<sub>2</sub>中,所得产物具有优良的相变性能,且相变温度可控,所获得的单斜晶系结构二氧化钒粉体的相变温度为25-80℃,粒径为50nm~500μm。 |
申请公布号 |
CN104925863A |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201510141756.2 |
申请日期 |
2015.03.30 |
申请人 |
湖北大学 |
发明人 |
赵丽;钟诚;梁子辉;王世敏;董兵海;徐祖勋;万丽;王二静 |
分类号 |
C01G31/02(2006.01)I |
主分类号 |
C01G31/02(2006.01)I |
代理机构 |
武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 |
代理人 |
胡清堂 |
主权项 |
一种单斜晶系结构二氧化钒粉体的制备方法,其包括以下步骤:A.按照质量比为1:(2~9)配制醇和水的混合溶剂,备用;B.将五氧化二钒、还原性酸和钨源按V:H:W的摩尔比为1:(0.1~9):(0~0.1)加入到步骤A所配制的混合溶剂中,分散,在140~240℃下反应3~24h,待反应液冷却后,分离出固体产物并干燥,得到四方金红石结构二氧化钒粉体;C.将步骤B中所得的四方金红石结构二氧化钒粉体在惰性气体的保护下于400~700℃下煅烧0.5~8h,即得到单斜晶系结构二氧化钒粉体。 |
地址 |
430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |