发明名称 高性能层叠封装体
摘要 一种微电子组件(5)可以包括:第一封装体(110),其包括处理器(130);以及第二封装体(10)电连接至该第一封装体。该第二封装体(10)可以包括:其中每个都具有存储器存储阵列功能和在相应的元件面(31)处的接触(35)的两个或更多个微电子元件(30)、相对的上下封装体面(11、12)、在相应的上下封装体面处的上端子和下端子(25、45)、和延伸通过该第二封装体的导电结构(14)。两个或更多个微电子元件中的相应微电子元件(30)的边缘(32)可以彼此间隔开,从而在这些边缘之间限定区域(23)。导电结构(14)可以与区域(23)对准,并且可以将下端子(45)与下列各项中的至少一项电连接:上端子(25)或者接触(35)。
申请公布号 CN104937716A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201380070812.7 申请日期 2013.12.10
申请人 伊文萨思公司 发明人 I·莫哈梅德;B·哈巴
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L25/10(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 郑立柱
主权项 一种微电子组件,包括:第一封装体,包括微电子元件,所述微电子元件包含处理器,所述第一封装体在其面处具有处理器封装体端子;以及第二封装体,与所述第一封装体电连接,所述第二封装体包括:两个或更多个微电子元件,其中每个微电子元件都具有存储器存储阵列功能,每个微电子元件都具有:元件面、以及在相应的元件面处的多个接触;相对的上封装体面和下封装体面,其中每个封装体面都与所述元件面平行;所述上封装体面由覆在所述两个或更多个微电子元件的所述元件面上面的介电层的表面限定;其中所述两个或更多个微电子元件中的相应的微电子元件的边缘的至少部分彼此间隔开,从而在所述边缘之间限定中央区域,所述中央区域不覆在所述第二封装体的所述微电子元件的所述元件面中的任何元件面上面;在所述上封装体面处的上端子,联接至所述处理器封装体端子、并且与所述接触中的至少一些接触电连接;以及在所述下封装体面处的下端子,配置为将所述组件与在所述组件外部的部件电连接;以及导电结构,与所述中央区域对准、并且延伸通过所述第二封装体以将所述下端子与下列各项中的至少一项电连接:所述上端子或者所述接触。
地址 美国加利福尼亚州