发明名称 |
利用反向恢复电流测量半导体双向开关载流子寿命的电路 |
摘要 |
本实用新型提供一种利用反向恢复电流测量半导体双向开关载流子寿命的电路。包括功率脉冲发生器(M1)、采样脉冲发生器(M1)、第一场效应管(FET1)、三极管(Q1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、积分电容(C)及电压表(J)。功率脉冲发生器的负极与该开关第一端及采样脉冲发生器的正极相连后接地,功率脉冲发生器的正极与该场效应管的源极相连;该场效应管的漏极通过第二电阻与该开关第三端相连,还通过第三电阻与三极管的基极相连,该场效应管的栅极通过第一电阻与该开关第二端相连;三极管的集电极与电压表的正极相连,电压表的负极接地,该集电极还通过积分电容与采样脉冲发生器的负极相连,三极管的发射极与开关第三端相连。本实用新型能够测出双向晶闸管等器件的载流子寿命。 |
申请公布号 |
CN204666777U |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201520346506.8 |
申请日期 |
2015.05.26 |
申请人 |
温州大学 |
发明人 |
陈文萍;韦文生;李求泉;徐啸;魏佳莹 |
分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
代理机构 |
温州瓯越专利代理有限公司 33211 |
代理人 |
陈加利 |
主权项 |
一种利用反向恢复电流测量半导体双向开关载流子寿命的电路,其与被测半导体双向开关相配合,其特征在于,所述电路包括功率脉冲发生器(M1)、采样脉冲发生器(M2)、第一场效应管(FET1)、三极管(Q1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、积分电容(C)以及电压表(J);其中,所述功率脉冲发生器(M1)的负极与所述被测半导体双向开关的第一端及所述采样脉冲发生器(M2)的正极相连后接地,所述功率脉冲发生器(M1)的正极与所述第一场效应管(FET1)的源极相连;所述第一场效应管(FET1)的漏极通过所述第二电阻(R2)与所述被测半导体双向开关的第三端(a3)相连,且还通过所述第三电阻(R3)与所述三极管(Q1)的基极相连,所述第一场效应管(FET1)的栅极通过所述第一电阻(R1)与所述被测半导体双向开关的第二端(a2)相连;所述三极管(Q1)的集电极与所述电压表(J)的正极相连,且还通过所述积分电容(C)与所述采样脉冲发生器(M2)的负极相连,所述三极管(Q1)的发射极与所述被测半导体双向开关的第三端(a3)相连。 |
地址 |
325000 浙江省温州市瓯海区茶山高教园区 |