发明名称 |
具有应力隔离的MEMS器件及其制造方法 |
摘要 |
具有应力隔离的MEMS器件(20)包括形成在第一结构层(24)中的元件(28、30、32)和形成在第二结构层(26)中的元件(68、70),其中层(26)与第一结构层(24)隔开。制造方法(80)涉及在层(24、26)之间形成(92、94、104)连接件(72、74)。连接件(72、74)将第一层(24)的对应的元件(30、32)与第二层(26)的元件(68、70)连接。制造方法(80)还涉及从下面的衬底(22)释放结构层(24、26),使得所有元件(30、32、68、70)都被悬置在MEMS器件(20)的衬底(22)上方,其中元件(30、32、68、70)与衬底(22)的附接仅发生在衬底(22)的中心区域处(46)。 |
申请公布号 |
CN102482072B |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201080038090.3 |
申请日期 |
2010.08.05 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
阿伦·A·盖斯贝格尔 |
分类号 |
B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李宝泉;周亚荣 |
主权项 |
一种用于制造与衬底隔离的微机电系统(MEMS)器件的方法,包括:在位于所述衬底之上的第一牺牲层上形成第一结构层,以制作通过槽而彼此分离的第一元件和第二元件,其中所述形成制作具有感测指状物的所述第二元件;在所述第一结构层之上沉积第二牺牲层,所述第二牺牲层至少部分地填充所述槽;创建贯通所述第二牺牲层的开口,以露出所述第二元件的所述感测指状物的部分;在所述第二牺牲层之上形成第二结构层,以制作第三元件,所述第二结构层填充所述开口,以提供所述第二元件的所述感测指状物和所述第三元件之间的连接件;以及通过移除所述第一牺牲层和第二牺牲层的至少一部分,使所述第一元件、第二元件和第三元件悬置在所述衬底之上,其中,所述第二元件与所述衬底的附接仅发生在所述衬底上的相对于所述第一元件、第二元件和第三元件在所述衬底之上的位置而言的中心区域处,并且所述第三元件至少经由所述连接件而连接到所述第二元件的所述感测指状物,并且其中所述第三元件使所述感测指状物悬置在所述衬底之上,使得所述感测指状物不与所述衬底直接接触,并且所述感测指状物相对于所述第一元件不可移动。 |
地址 |
美国得克萨斯 |