半导体设备

摘要

一种半导体设备，其包含具有扩散区的半导体基板，晶体管形成于该扩散区内，电力轨设置于该扩散区之外，接触层设置在该基板上方与该电力轨下方，盲孔设置于该接触层与该电力轨之间，以将该接触层电性连接至该电力轨，该接触层包含第一长度与第二长度，该第一长度设置在该扩散区之外，该第二长度从该第一长度延伸至该扩散区中并电性连接至该晶体管。

主权项

一种半导体设备，其包括：半导体基板，其具有扩散区；晶体管，其形成于该扩散区内，且包括源极、漏极与栅极；金属层，包含：电力轨，其设置于该扩散区之外；及接脚层，其从该扩散区延伸至该扩散区之外；接触层，其设置在该半导体基板上方与该金属层下方；以及盲孔，其设置于该接触层与该电力轨之间，以将该接触层电性连接至该电力轨；且其中该接触层包含第一部分与第二部分，该第一部分设置在该扩散区之外，且该第二部分从该第一部分延伸至该扩散区中并电性连接至该晶体管。