发明名称 一种基于晶界改性的高矫顽力低镝(铽)钕铁硼磁体
摘要 本发明涉及一种提高钕铁硼磁体内禀矫顽力的材料,其特征在于在原磁体基础上引入一定量的Ag元素位于晶界,且基本消除了Fe元素在晶界的析出,其具有比未经改进的合金具有更高的内禀矫顽力,并且在相同矫顽力的情形下所需镝(铽)的量更少,从而实现提高内禀矫顽力、降低镝(铽)元素用量的目的,可以满足对高内禀矫顽力、低成本、高使用温度磁体有需要的各种场合。
申请公布号 CN104934175A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201410102515.2 申请日期 2014.03.20
申请人 江西理工大学 发明人 不公告发明人
分类号 H01F1/057(2006.01)I;H01F7/02(2006.01)I 主分类号 H01F1/057(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种提高内禀矫顽力的改进型钕铁硼永磁材料,其特征在于,该材料含有一定量的Ag,其通式为(M)Agx,其中M表示任何不含Ag的以R<sub>2</sub>Fe<sub>14</sub>B结构化合物为主相的钕铁硼磁体(R=稀土),0&lt;x&lt;1.0 at.%。
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