发明名称 存储装置
摘要 存储装置具有多个记忆装置和将多个记忆装置作为RAID组来进行控制的存储控制器。各记忆装置具有非易失性半导体存储(例如闪存)芯片和内存控制器,该内存控制器压缩数据,并将压缩后的数据保存在非易失性半导体存储芯片内。内存控制器向存储控制器提供逻辑记忆区域。存储控制器将逻辑记忆区域划分成多个条目,该条目为分别具有规定的大小的逻辑记忆区域,从各记忆装置获取保存在非易失性半导体存储器内的与数据容量有关的容量信息,基于容量信息,在半导体记忆装置之间交换条目的数据。
申请公布号 CN104937561A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201380070682.7 申请日期 2013.05.17
申请人 株式会社日立制作所 发明人 小关英通
分类号 G06F12/00(2006.01)I 主分类号 G06F12/00(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 陈伟;王娟娟
主权项 一种存储装置,其特征在于,具有:多个半导体记忆装置,其分别具有多个非易失性半导体存储芯片和内存控制器,所述内存控制器将数据压缩并保存在所述多个非易失性半导体存储芯片内;和存储控制器,其控制多个RAID组,所述多个RAID组分别以规定数包括所述多个半导体记忆装置内包含的半导体记忆装置,所述存储控制器控制数据向所述多个半导体记忆装置的写入以及从所述多个半导体记忆装置的读取,所述内存控制器将所述多个非易失性半导体存储芯片的记忆区域与逻辑记忆区域对应地提供至所述存储控制器,所述存储控制器将所述多个半导体记忆装置各自提供的所述逻辑记忆区域分别划分成多个条目,所述条目为具有规定的大小的逻辑记忆区域,分别从所述多个半导体记忆装置获取在所述多个非易失性半导体存储芯片内保存的与数据容量有关的容量信息,基于所述容量信息,从所述多个半导体记忆装置中,选择第一半导体记忆装置和比所述第一半导体记忆装置的数据保存量多出规定值以上的第二半导体记忆装置,基于所述容量信息,将属于所述第一半导体记忆装置的多个条目中数据保存量小的条目的数据与属于所述第二半导体记忆装置的多个条目中数据保存量大的条目的数据交换。
地址 日本东京都