| 发明名称 | 组合FinFET及其形成方法 | ||
| 摘要 | 鳍式场效应晶体管(FinFET)实施例包括从半导体衬底向上延伸的鳍和栅极堆叠件。该鳍包括沟道区。栅极堆叠件设置在沟道区的侧壁上方并且覆盖沟道区的侧壁。沟道区包括至少两种不同的半导体材料。本发明还提供了组合FinFET及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104934474A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510075614.0 | 申请日期 | 2015.02.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄玉莲;彭辞修;李东颖;蔡明桓;万幸仁 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：鳍，从半导体衬底向上延伸；以及栅极堆叠件，设置在所述鳍的沟道区的侧壁上方并且覆盖所述鳍的沟道区的侧壁，其中，所述沟道区包括至少两种不同的半导体材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||