形成堆叠沟槽接触的方法及由此形成的结构

摘要

描述了形成微电子器件的方法和相关的结构。那些方法可包括形成一结构，该结构包括置于基板的源/漏接触上的第一接触金属，以及置于该第一接触金属的顶表面上的第二接触金属，其中该第二接触金属设置于ILD内，该ILD置于设置在该基板上的金属栅的顶表面上。

主权项

一种结构，包括：设置于硅化物上的第一接触金属，所述硅化物与基板的源/漏接触相接触；设置于第一接触金属的顶表面上的单个非层状第二接触金属，其中，单个非层状第二接触金属设置于层间介质内，所述层间介质设置于栅的顶表面上，其中，所述栅包括直接邻近所述栅的间隙壁，并且其中，所述硅化物设置在邻近所述间隙壁的源/漏接触区域内，并且基本上被限制在所述源/漏接触区域内，其中，所述硅化物与第一接触金属耦合，其中，所述第一接触金属、所述栅和所述间隙壁彼此平坦化；并且其中，单个非层状第二接触金属是锥形接触金属，所述锥形接触金属包括直径小于顶部直径的底部，其中，所述底部与第一接触金属相接触，并且具有比第一接触金属的顶表面的直径小的直径。