一种晶体硅片位错检测方法

摘要

本发明提供一种晶体硅片位错检测方法，先采用添加有醇类化学添加剂的碱溶液对切割晶体硅锭得到的晶体硅片进行碱处理，然后再进行化学抛光和化学腐蚀。由于所述碱溶液能够去除碱溶液腐蚀过程中产生的气泡，降低碱处理后的晶体硅片表面粗糙度，从而能够代替现有技术中的机械抛光，得到较好的抛光效果。相对于现有技术中需要碎片、预处理等工序才能进行抛光的机械抛光过程，其工艺更加简单，同时相对于机械抛光需要的时间，本发明提供的碱处理过程需要的时间更短，提高了位错检测效率；且碱处理和化学抛光过程中无需使用昂贵的机械抛光设备，在一定程度上降低了位错检测成本。

主权项

一种晶体硅片位错检测方法，其特征在于，包括：S1：提供切割晶体硅锭或晶体硅棒后得到的晶体硅片；S2：将所述晶体硅片浸泡在添加有醇类化学添加剂的碱溶液中，对所述晶体硅片进行碱处理，之后去除所述晶体硅片上残留的碱溶液；S3：将经过步骤S2处理过的晶体硅片浸泡在化学抛光液中，对晶体硅片进行化学抛光，之后去除所述晶体硅片上残留的化学抛光液，并吹干晶体硅片；S4：采用化学腐蚀液对吹干后的晶体硅片进行腐蚀，之后去除所述晶体硅片上残留的化学腐蚀液；S5：采集晶体硅片上的位错照片，分析位错数量，并得出位错密度。