一种掺有碳纳米管的有机薄膜存储器

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种掺有碳纳米管的有机薄膜存储器。该存储器包括：以硅为衬底栅电极，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层作为栅介质层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个金属电极，两个电极具有一定的间距，在两电极之间淀积一层掺有碳纳米管的有机薄膜作为导电通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底（背栅）施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极在零栅压下的电流大小来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。

主权项

一种掺有碳纳米管的有机薄膜存储器，其特征在于包括：硅衬底，硅衬底表面是氧化形成的二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上设置有源极和漏极两个电极，两个电极之间淀积有一层掺有碳纳米管的有机薄膜，作为导电通路，并与两端的电极形成接触。