| 发明名称 | 一种晶片生长装置及方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶片生长装置及方法，所述装置包括：一炉管；一晶舟，置于所述炉管中；第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氮化硅层；第二晶片组，靠近所述第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氧化硅层；多个控片，分别置于所述晶舟的上部、中部和下部；多个挡片，包括侧挡片和附加挡片，所述侧挡片分别置于所述第一控片的上部和所述第三控片的下部，所述附加挡片将所述第一晶片组和所述第二晶片组隔开，并置于所述第三控片的上部。本发明在实现带有氮化硅的晶片和普通氧化硅晶片混合制程同时进行的同时提高了晶片可靠性测试的结果和晶片的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN104934317A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201410105926.7 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 范建国;沈建飞 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种晶片生长装置，其特征在于，所述晶片生长装置包括：一炉管；一晶舟，置于所述炉管中；第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氮化硅层；第二晶片组，靠近所述第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氧化硅层；多个控片，包括第一控片、第二控片和第三控片，分别置于所述晶舟的上部、中部和下部；多个挡片，包括侧挡片和附加挡片，所述侧挡片分别置于所述第一控片的上部和所述第三控片的下部，所述附加挡片将所述第一晶片组和所述第二晶片组隔开，并置于所述第三控片的上部。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||