一种闪存器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种闪存器件及其制备方法，包括步骤：在所述半导体衬底上形成第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层、第二垫氮化层；刻蚀形成沟槽以定义出有源区；生长衬氧化层，并在沟槽中填满绝缘介质材料形成浅沟道隔离结构；去除所述第二垫氮化层、第二垫氧化层，进行离子注入；去除所述第一垫氮化层、第一垫氧化层，沉积隧穿氧化层和浮栅，获得的浮栅的宽度与有源区表面宽度相同。本发明通过制作两层垫氧化层和两层垫氮化层，并在工艺中先去除第二垫氮化层、第二垫氧化层再去除第一垫氮化层、第一垫氧化层，利用第一垫氮化层保护浅沟道隔离结构中靠近有源区表面拐角的位置，避免该位置形成凹坑，有效防止浅沟道隔离结构中漏电流的产生，提高器件性能。

主权项

一种闪存器件的制备方法，其特征在于，所述闪存器件的制备方法至少包括步骤：1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底上自下而上依次形成第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层以及第二垫氮化层；2）刻蚀所述第一垫氧化层、第一垫氮化层、第二垫氧化层、第二垫氮化层及半导体衬底，形成沟槽以在半导体衬底中定义出有源区；3）于所述沟槽表面生长衬氧化层，并在沟槽中填满绝缘介质材料，所述绝缘介质材料表面与第二垫氮化层表面齐平，从而形成浅沟道隔离结构；4）去除所述第二垫氮化层、第二垫氧化层，并对所述有源区进行离子注入；5）去除所述第一垫氮化层、第一垫氧化层，露出所述有源区表面，在有源区表面自下而上依次沉积隧穿氧化层和浮栅，获得的浮栅的宽度与有源区表面宽度相同。