发明名称 一种(Sr<sub>1-x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>TiO<sub>4</sub>系列致密导电氧化物陶瓷及其制备方法
摘要 本发明公开了一种致密导电氧化物陶瓷及其制备方法,该陶瓷的分子式为(Sr<sub>1-x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>TiO<sub>4</sub>,其中,X为0-0.08,Ln为镧系元素,所述陶瓷的致密度大于98%,室温电阻率为10<sup>-5</sup>Ω·m量级;制备该陶瓷的所需原料其选用硝酸锶、镧系硝酸盐和硫酸钛提供金属离子,选用草酸作为沉淀剂,其首先通过液相共沉淀法合成前驱体沉淀物,然后将前驱体沉淀物利用放电等离子烧结快速成型,制备得到的氧化物陶瓷可导电,满足国标要求。本发明制备方法得到的致密(Sr<sub>1-x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>TiO<sub>4</sub>陶瓷为单相,且结晶性能好。
申请公布号 CN104926298A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201510292636.2 申请日期 2015.05.27
申请人 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院 发明人 李亮亮;刘全桢;孙立富;李义鹏;高鑫;张云朋;宫宏;孟鹤
分类号 C04B35/47(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I 主分类号 C04B35/47(2006.01)I
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人 张红凤
主权项 一种致密导电氧化物陶瓷,其特征在于:所述陶瓷的分子式为(Sr<sub>1‑x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>TiO<sub>4</sub>,其中,X为0‑0.08,Ln为镧系元素,所述陶瓷的致密度大于98%,室温电阻率为10<sup>‑5</sup>Ω·m量级。
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