发明名称 |
一种(Sr<sub>1-x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>TiO<sub>4</sub>系列致密导电氧化物陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种致密导电氧化物陶瓷及其制备方法,该陶瓷的分子式为(Sr<sub>1-x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>TiO<sub>4</sub>,其中,X为0-0.08,Ln为镧系元素,所述陶瓷的致密度大于98%,室温电阻率为10<sup>-5</sup>Ω·m量级;制备该陶瓷的所需原料其选用硝酸锶、镧系硝酸盐和硫酸钛提供金属离子,选用草酸作为沉淀剂,其首先通过液相共沉淀法合成前驱体沉淀物,然后将前驱体沉淀物利用放电等离子烧结快速成型,制备得到的氧化物陶瓷可导电,满足国标要求。本发明制备方法得到的致密(Sr<sub>1-x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>TiO<sub>4</sub>陶瓷为单相,且结晶性能好。 |
申请公布号 |
CN104926298A |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201510292636.2 |
申请日期 |
2015.05.27 |
申请人 |
中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院 |
发明人 |
李亮亮;刘全桢;孙立富;李义鹏;高鑫;张云朋;宫宏;孟鹤 |
分类号 |
C04B35/47(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/47(2006.01)I |
代理机构 |
济南舜源专利事务所有限公司 37205 |
代理人 |
张红凤 |
主权项 |
一种致密导电氧化物陶瓷,其特征在于:所述陶瓷的分子式为(Sr<sub>1‑x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>TiO<sub>4</sub>,其中,X为0‑0.08,Ln为镧系元素,所述陶瓷的致密度大于98%,室温电阻率为10<sup>‑5</sup>Ω·m量级。 |
地址 |
100728 北京市朝阳区朝阳门大街22号 |