| 发明名称 | 一种提高晶圆间键合强度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述支撑晶圆上形成对准标记；在所述支撑晶圆表面上形成等离子沉积氧化硅层；执行化学机械抛光平坦化步骤；执行热氧化步骤，以在所述支撑晶圆表面形成氧化硅层；执行氧化硅融合键合步骤。根据本发明的制造工艺，能有效避免定位标识的损伤以及支撑晶圆上对准标记内填充空穴的产生，实现等离子沉积氧化硅层与热氧氧化氧化硅层的键合，可显著提高键合强度。 | ||
| 申请公布号 | CN104925748A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201410103977.6 | 申请日期 | 2014.03.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 施林波;陈福成;刘尧;张先明;丁敬秀 |
| 分类号 | B81C3/00(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述支撑晶圆上形成对准标记；在所述支撑晶圆表面上形成等离子沉积氧化硅层；执行化学机械抛光平坦化步骤；执行热氧化步骤，以在所述支撑晶圆表面形成热氧氧化氧化硅层；执行氧化硅融合键合步骤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||