发明名称 粘晶装置以及利用粘晶装置的半导体晶粒的破损检测方法
摘要 粘晶机(100)包括:背面照相机(30),对包括吸附半导体晶粒(40)的夹头(20)的吸附面图像及吸附于夹头(20)的半导体晶粒(40)的图像的整体图像进行摄像,以及图像处理部(80),处理由背面照相机(30)获取的各图像,图像处理部(80)包括:图像区域划定元件,基于夹头(20)的吸附面图像与半导体晶粒(40)的图像的明度差及半导体晶粒(40)的基准图像划定整体图像中半导体晶粒(40)的图像区域;以及破损检测元件,对由图像区域划定元件划定的半导体晶粒的图像区域内扫描,在扫描方向上的明度的变化比例为规定的临限值以上时,判断为半导体晶粒的破损。藉此,有效抑制破损的半导体晶粒被粘晶,提高由粘晶机(100)制造的半导体装置的品质。
申请公布号 CN104937702A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201380023188.5 申请日期 2013.08.19
申请人 株式会社新川 发明人 豊川雄也
分类号 H01L21/52(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/52(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 张洋
主权项 一种粘晶装置,包括:照相机,对整体图像进行摄像,所述整体图像包括吸附半导体晶粒的夹头的吸附面图像及吸附于夹头的半导体晶粒的图像;以及图像处理部,对藉由照相机而获取的各图像进行处理,且所述图像处理部包括:图像区域划定元件,根据所述夹头的吸附面图像与半导体晶粒的图像的明度差、及所述半导体晶粒的基准图像,来划定所述整体图像中的所述半导体晶粒的图像区域;以及破损检测元件,对藉由所述图像区域划定元件而划定的所述半导体晶粒的所述图像区域内进行扫描,在扫描方向上的明度的变化比例为规定的临限值以上的情况下,判断为所述半导体晶粒破损。
地址 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1